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LED芯片利用进程中呈现的那些“BUG”

作者:nano-bbs.com 发布时间:2016-05-03

  1.正向电压低落,暗光

  A:一种是电极与发光质料为欧姆打仗,但打仗电阻大,主要由质料衬底低浓度或电极缺损所致。

  B:一种是电极与质料为非欧姆打仗,主要产生在芯片电极制备进程中蒸发第一层电极时的挤压印或夹印,现浇屋顶,漫衍位置。

  别的封装进程中也大概造成正向压低落,主要原因有银胶固化不充实,支架或芯片电极沾污等造成打仗电阻大或打仗电阻不不变。 正向压低落的芯片在牢靠电压测试时,通过芯片的电流小,从而表示暗点,尚有一种暗光现象是芯片自己发光效率低,正向压矫魅正常。

  2.难压焊:(主要有打不粘,电极脱落,打穿电极)

  A:打不粘:主要因为电极外貌氧化或有胶

  B:有与发光质料打仗不牢和加厚焊线层不牢,个中以加厚层脱落为主。

  C:打穿电极:凡是与芯片质料有关,质料脆且强度不高的质料易打穿电极,一般GAALAS质料(如高红,红外芯片)较GAP质料易打穿电极。

  D:压焊调试应从焊接温度,超声波功率,超声时间,压力,金球巨细,支架定位等举办调解。

  3.发光颜色差别:

  A:同一张芯片发光颜色有明明差别主要是因为外延片质料问题,ALGAINP四元素质料回收量子布局很薄,发展是很难担保各区域组分一致。(组分抉择禁带宽度,禁带宽度抉择波长)。

  B:GAP黄绿芯片,发光波长不会有很大毛病,可是由于人眼对这个波段颜色敏感,DNA试剂盒,很容易查出偏黄,偏绿。由于波长是外延片质料抉择的,区域越小,呈现颜色毛病观念越小,故在M/T功课中有相近选取法。

  C:GAP赤色芯片有的发光颜色是偏橙黄色,这是由于其发光机理为间接跃进。受杂质浓度影响,电流密度加大时,易发生杂质能级偏移和发光饱和,发光是开始变为橙黄色。

  4.闸流体效应:

  A:是发光二极管在正常电压下无法导通,当电压加高到必然水平,电流发生突变。

  B:发生闸流浮现象原因是发光质料外延片发展时呈现了反向夹层,有此现象的LED在IF=20MA时测试的正向压降有埋没性,在利用进程是出于南北极电压不足大,表示为不亮,可用测试信息仪器从晶体管图示仪测试曲线,也可以通过小电流IF=10UA下的正向压降来发明,小电流下的正向压降明明偏大,自保温砌块,则大概是该问题所致。

  5.反向泄电:

  A:原因:外延质料,自保温砌块稳泡剂,芯片建造,器件封装,测试一般5V下反向泄电流为10UA,也可以牢靠反向电流下测试反向电压。

  B:差异范例的LED反向特性相差大:普绿,普黄芯片反向击穿可到达一百多伏,现浇屋顶解决方案,而普芯片则在十几二十伏之间。

  C:外延造成的反向泄电主要由PN结内部布局缺陷所致,芯片建造进程中侧面腐化不足或有银胶丝沾附在测面,严禁用有机溶液调配银胶。以防备银胶通过毛细现象爬到结区。

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